电子元器件选型参数与原则pdf
来源:媒体公告 发布时间:2023-11-08 01:36:13电子元器件选型参数与原则 目录 编者按 2 1 . 物料选型总则2 2 . 各类物料选型规则 3 2 . 1 . 芯片选型总的规则 3 2. 2 . 电阻选型规则 4 2. 3 . 电容选型规则 4 2. 3. 1 . 铝 电解 电容选型规则4 2. 3. 2 . 锂 电解 电容选型规则5 2. 4 . 片状多层陶瓷电容选型规则 5 2. 5 . 引脚多层陶瓷电容选型规则 6 2. 6 . 电器选型规则 6 2. 7 . 二极管选型规则 6 2. 8 . 三极管选型规则 6 2. 9 . 接插件选型规则 6 2. 1 0 . 开关选型规则6 2. 1 1 . 电感选型规则7 2. 12. CPU 选型规贝IJ7 2. 13. SRAM选型规则 7 2. 14. EEPROM 选型规则 7 2 . 1 5 . 晶体和晶振选型规则 7 2. 1 6 . 电源选型规则7 2. 16. 1. AC/DC 选型规则8 2. 16. 2 . 隔离D C/D C 电源选型规则8 2. 16. 3 . 连接器选型规则8 3 . 元器件选型根本原则: 9 4 . 考虑9 4 . 1 . 易产生应用可靠性问题的器件9 4. 1. 1, 对外界应力敏感的器件9 4. 1 . 2 . 工作应力接近 电路最大应力的器件 9 4. 1 . 3 . 频率与功率都大的器件9 4. 2 . 选用元器件要考虑的十大要素10 第 1 页共1 7 页 4. 3 . 失效模式及其分布 10 4. 4 . 高可靠元器件的特征 10 4. 5 . 品种型号的优先选用规则 11 4. 6 . 供货商应提供的可靠性信息11 5 . 工艺考虑11 5. 1. 1 . 以集成电路为例: 12 5. 2. CMOS芯片成品率与可靠性的关系 12 5. 3. SPC 数据 :合格率的表征12 5. 4. SOI 工艺12 6 . 统计工艺控制14 7 . 封装考虑 14 7. 1 . 寄生参数典型值 14 7. 2 . 有利于可靠性 15 7. 3 . 不利于可靠性 15 7. 4 . 封装材料的比较 16 7. 4. 1 . 塑料封装 16 7. 4. 2 . 陶瓷封装 16 7. 4. 3 . 金属封装 16 7. 4. 4 . 吸潮性 问题 16 7. 4. 5 . 气密性问题 16 7. 4. 6 . 温度适应性问题 17 编者按 电子元器件是电子系统的基础部件,是能完成预定功能且不能再分割的 电路基本单元。由于电子元器件的数量、品种众多,因此它们的性能、可靠性 等参数对整个电子科技类产品的系统性能、可靠性、寿命周期等技术指标的影响极 大 。 所以正确有效地选择和使用电子元器件是提高电子科技类产品可靠性水平的一项 重要工作。电子元器件的可靠性分为固有可靠性和使用可靠性固有可靠性主要 由设计和制造工作来保证,这是元器件生产厂的任务。 1 .物料选型总则 第 2 页共 1 7 页 1、所选器件遵循公司的归一化原则,在不影响功能、可靠性的前提下, 尽可能少选择物料的种类。 2 、优先选用物料编码库中 优“选等级为A 的物料。 3 、优选生命周期处于成长、成熟的器件。 4 、选择出生、下降的器件走特批流程。 5 、慎选生命周期处于衰落的器件,禁止选用停产的器件。 6 、功率器件优先选用RjA 热阻小,T j 结温更大的封装型号。 7 、禁止选用封装尺寸小于0402 含()的器件。 8 、抗 E S D 能力至少1 0 0 V , 并要求设计做防静电措施。 9 、所选元器件MSL 潮(湿敏感度等级)不能大于5 级 含( 10、优 选用密封真空包装的型号,MSL 潮(湿敏感度等级)大于2 级 含() 的,一定要使用密封线、优 选用卷带包装、托盘包装的型号。如果是潮湿敏感等级为二级或 者以上的器件,则要求盘状塑料编带包装,盘状塑料编带一定要能承受125℃ 的高温。 12、对于关键器件,至少有两个品牌的型号可以互相替代,有的还应该要考虑 方案级替代。 13、使用的材料要求满足抗静电、阻燃、防锈蚀、抗氧化以及安规等要 求 。 2 . 各类物料选型规则 2. 1 . 芯片选型总的规则 1)有铅B GA 焊球优选Sn63Pb 37合金,也可选择高铅 铅(含量Q 85%)的 Sn Pb 合金。无铅BGA 焊球选择SnA gCu合金。 2)有引线的SM D 和集成电路器件,引脚线金属材料要为铜、铜合金、可 阀合金、4 2 合金材料,表面合金涂镀均匀、厚度符合有关标准 4( 7 、6 u m), 涂层不得含金属钿。锡铅引脚镀层:SnPb ;无铅引脚镀层:优选:Matte- Sn 、SnAgCu 、Ni/Au 、Ni/Pd/Au ; S n 镀层:对于纯S n 镀层来讲,S n 镀层厚度 % 7 、6 u m (电镀工艺 卜 或心2 、5 11m (电镀后熔融工艺)、或2 5 、1 口 m 浸(锡 第 3 页共1 7 页 工艺 卜 或心0 、5 H m 化(学镀工艺);阻挡层Ni :厚度g 3 u m ; Sn Cu镀层: Sn Cu镀层厚度心3 u m ; Ni/ Pd镀层:P d 镀层厚度n 0 、075 u m , N i镀层厚度 在 3 u m 以上;Ni/Pd/Au镀层:N i 厚度心3 u m , P d 厚度处0 、075 u m , Au 厚度在 0 、0 2 5 - 0 、10 um 3)谨慎选用台湾的CPU 、电源芯片。 4)禁止选用Q FN封装的元器件,如果只能选用Q FN封装的元器件,必须 经过评审。选用任何Q FN封装的芯片必须经付总一级的领导批准后才能使用。 5)对于I C 优 选用脚间距至少0 、5M M 的贴片封装器件。 6)优选贴片封装的器件,慎选 D IP封装器件。 7)尽量不要选用B GA 封装的元器件,不得不使用才选用。如果选用 BGA, BGA 球间距必须大于等于0 、8 m m , 最好大于等于1、0mm 。而且尽量 选用使用有铅B GA 球器件的型号,并且使用有铅焊接工艺。 8)禁止选用不支持在线 0 系列,1 2 系列,1 5 系列,2 0 系列,3 0 系列,39 系列,5 1 系列, 6 8 系列,8 2 系列。 2)贴片电阻优选060 3和 08 0 5 的封装,04 0 2 以下的封装禁选。 3)插脚电阻优选 0 、25W, 0 、5W, 1W, 2W, 3W, 5W, 7W, 10W, 15Wo 4)对于电阻的温漂,J 档温漂不能超过500ppm/°C, F 档温漂不能超过 100ppm/ ℃, B 档温漂不能超过10ppm/ ℃。 5)金属膜 电阻1W 及 1W 以上禁选,金属膜 电阻7 5 0k 以上禁选。 6J 7W 以上功率电阻轴线丁慎选电位器,如果无法避免,选用多圈的,品牌用BOURNS 。电子电位 器按照芯片选型规范操作。 8)电阻品牌优选YA GEO 、MK 、贝迪思。 2. 3 . 电容选型规则 2. 3. 1 . 铝电解电容选型规则 1)普通应用中选择标准型、寿命 1000HR〜 3000HR 为(价格考虑,慎选长寿 第 4 页共1 7 页 命型),选择铝电解电容寿命尽量选择2000Hr 。 2)对于铝电解电容的耐压,3 、3V 系统取10V 、5V 系统取10V 、12V 系统 取 25V 、24V 系统取50V ; 4 8 V 以上系统选100V 。 3)铝电解电容必须选用工作温度为10 5度的。 4)对于铝电解电容的容值,优选 10、22 、4 7 系列;2 5V 以下禁选224 、 105、4 7 5之类容值型号 用(片状多层陶瓷电容或锂电解电容替代)。 5)对于高压型铝电解电容保留4 0 0V o 禁选无极性铝电解电容。 6)普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA 三(和),高端铝电解电容选用 NCC 黑(金刚)或其他 日本名牌铝电解电容。 7)禁止选用贴片的铝电解电容。 2. 3. 2 . 锂电解电容选型规则 1)锂电解电容禁止选用耐压超过3 5V 以上的。 2)插脚式锂电解电容禁选。 3)对于锂电解电容的耐压,3 、3V 系统取10V 、5V 系统取16V 、12V 系统 取 35V, 10V 、16V 、3 5V 优选,4V 、6 、3V 、50V 禁用 用(铝电解电容替 代)。 4)对于锂电解电容的容值:优选 10、22、4 7 系列。容值 1 0 5 以下的留电 解电容禁选 用(陶瓷电容替代)。 5)锂电解电容品牌:KEMET 、AVXo 2. 4 . 片状多层 瓷电容选型规则 1)高 Q 陶瓷电容慎选;只用在射频电路上。 2)片状多层陶瓷电容封装:0603、080 5优选、1206、1210慎选、1808 以上禁选。 3)片状多层陶瓷电容耐压:优选25V 、50V 、100V ; 106 含()以上容值的耐 压不大于25Vo 4)片状多层陶瓷电容容量:优选 10、22 、33 、47、6 8 系列。 5)片状多层陶瓷电容的材料,优选 NPO、X 7R 、X 5 R , 其它禁选。 6)片状多层陶瓷电容的品牌:TA IYO 、MURATA 、KEMET 、TEMEX 高(Q 陶瓷电容)。 第 5 页共 1 7 页 2. 5 . 引脚多层 瓷电容选型规则 1)新产品禁止选用此类电容 使(用片状多层陶瓷电容替代)。 2. 6 .继电器选型规则 1 、品牌选择:PANASONIC, OMRON 、FINDERo 2 、禁止使用继电器插座。 2. 7 . 二极管选型规则 1 、禁止使用玻璃封装的二极管。 2 、发光二极管优选直径 5 m m 的插脚型号、贴片发光二极管优选选用有 焊接框架的型号,E SD/M SL 等级遵循上述的标准。 3 、整流二极管:同电流等级优先选择反压最高的型号、如 1A 以下选用 1N 4 007 , 3A 的选用 IN 5408o 4 、肖特基二极管:同电流档次的保留反压最高的等级,如:1N 5 8 19 保 留,1N 58 17 禁选,SS14 保留,SS12 禁选;M 7,30B 060,S5G 保留。 5 、发光二极管优选有边、短脚的; 了保持公司产品的一致性,红发 红、绿发绿等型号优选,白发红、白发绿等型号慎选;如果没有特殊要求,尽 量不要使用长脚、无边的。 6 、发光二极管优选品牌 亿“光”。 7、瞬态抑制二极管的品牌优选PROTEK, SEMTECHo 2. 8 . 三极管选型规则 1 、9 0 1X 系列的三极管选用9 0 12 , 90 13o 2. 9 . 接插件选型规则 1 、禁选IC 插座,如果不能避免使用IC 插座,必须使用圆孔的IC 插座。 2 、插针座选用三面接触的,禁止使用2 面接触的。P C 10 4 等特殊要求的 除外。 3 、成套的接插件要求使用同一品牌的,既插头、插座配套使用的要求它 们 同一品牌的。 2. 1 0 . 开关选型规则 1 、禁选拨码开关。 第 6 页共1 7 页 2 、电源开关优选船形开关。 2. 1 1 .电感选型规则 1、贴片电感品牌优选三礼和SUMIDA 。 2. 12. CPU选型规则 1、如果选用的C P U 是与我公司已使用过的同系列不同型号的,需要经过 生产付总同意。如果选用的C PU 是我公司从来没有使用过的新的系列的CPU, 一定要经过公司级领导开会讨论来决定。 2 、保留 Atmega48, Atmegal68, Atmega32, Atmegal28o 新的产品禁 止再使用 attiny2313 和 Atmega88 。 3 、Q FN封装的A tm egal28禁止以后新产品选用。 4 、 ARM7 只能选用以下几种:LPC2138FBD64、 LPC2292FBD144、 STR710FZ2T6, STR711FR2T6 。 5 、以后新产品使用COLDFIRE系列替代68000系列。 FLA SH选型规则 1、并行FLA SH 品牌优选SPANSION、S S T , 禁止选用SAMSUNG 。 2 、串行FLA SH 品牌优选ATMEL 。新的产品禁止再使用AT45DB081B- RL 2. 13. SRAM选型规则 品牌优选 ISSI, CYPRESS, MICRON, I D T , 禁用 SAMSUNG 。 2. 14. EEPROM选型规则 1、禁止选用并行的EEPROM 。 2 、串行 EEPROM 品牌优选 ATMEL 和 MICROCHIP., 3 、新的产品禁止选用24LC65-I/SM 。 2. 1 5 . 晶体和晶振选型规则 晶体物料通用技术要求:A T 切 基(频),2 0p F 负载电容,温度范围-20〜 +70 ℃工(业温度等级),制造频偏3 0 p p m , 温漂50ppm/ ℃, 无铅产品。晶体 和晶振品牌优选HOSONIC和 EPSONo 2. 1 6 .电源选型规则 第 7 页共 1 7 页 2. 16. 1. A C/ DC选型规则 1、对于可靠性要求高的产品,电源优选LA M B D A 和 COSEL ; 2、选 Lambda 电源时,便于归一化要求大家统一选带JST接插件的型 号。 3、新产品尽量选用标准电源,不推荐定制电源。 2. 16. 2 . 隔离DC/ DC电源选型规则 1、隔离DC/DC 电源优选T I公司的产品,T I产品不能满足要求时优选 C&Do 2. 16. 3 . 连接器选型规则 ①欧式连接器选型规 1、欧式连接器品牌优选HART ING 、ERNI、E P T , 同一套产品使用的插头 和插座要求使用同一个品牌,禁止不同品牌配合使用。 ②RJ系列连接器选型规 1、如果不是外接通信信号必须使用,禁止选用RJ11和 RJ12连接器。 2、RJ45优选连接弹片为圆针的、带屏蔽壳、屏蔽壳有弹片的,RJ45连接 弹片的镀金层要求厚度不能低于3uin。 3、禁止选用带灯、带变压器的RJ45插座。 4 、RJ系列连接器品牌优选PULSE (FRE)。 ③白色端子选型规 1、尽量不使用白色端子。 2、白色端子品牌优选JST、A M P 、MOLEXo @ P C B 板安装螺钉接线、P CB 板安装螺钉接线连接器品牌优选PHOENIXo 2 、P CB 板安装螺钉接线 位接线端子,其它位数 的连接器可以使用2 位和3 位接线 m m 间距的,禁止选用5、0 0 m m 间距的。 ⑤其它矩形连接器选型规 1、其它矩形连接器优选品牌如下:A M P 、M OLEX 、SAMTEC 、HIROSE、 W C O N 、NSTECHo 第 8 页共 1 7 页 2 、连接器插针的镀金层要求厚度不能低于3u in 。 3 、优选通用的连接器,禁止定制连接器。 3 . 元器件选型基本原则: 1)普遍性原 :所选的元器件要是被广泛使用验证过的,尽量少使用冷 门、偏门芯片,减少开发风险。 2)高性价比原 :在功能、性能、使用率都相近的情况下,尽可能地选择价格 比较好的元器件,降低成本。 3)采购方便原 :尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 4)持续发展原 :尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件。 5)可替代原 :尽量选择pin to p i n 兼容芯片品牌比较多的元器件。 6)向上兼容原 :尽量选择以前老产品用过的元器件。 7)资源节约原 :尽量用上元器件的全部功能和管脚。 4 . 综合考虑 4. 1 . 易产生应用可靠性问题的器件 4. 1. 1. 对外界应力敏感的器件 C M O S 电路:对静电、闩锁、浪涌敏感 小信号放大器:对过电压、噪声、干扰敏感 塑料封装器件:对湿气、热冲击、温度循环敏感 4. 1.2.工作应力接近电路最大应力的器件 功率器件:功率接近极限值 高压器件:电压接近极限值 电源电路:电压和电流接近极限值 (电源) 高频器件:频率接近极限值 射(频与高速数字) 超大规模芯片:功耗接近极限值 (别是大功率的C PU 、FPGA 、D S P 等) 4. 1. 3 .频率与功率都大的器件 时钟输出电路:在整个电路中频率最高,旦要驱动几乎所有数字电路模块 总线控制与驱动电路:驱动能力强,频率高 第 9 页共1 7 页 无线收发电路中的发射机:功率和频率接近极限值 4. 2 . 选用元器件要考虑的十大要素 1 .电 性:元器件除了满足装备功能要求之外,要能经受最大施加的电应 力。 2 .工作时候的温度范围:元器件的额定工作温度范围应等于或宽于所要经受的工 作温度范围。 3 .工艺质量与可制造性:元器件工艺成熟且稳定可控,成品率应高于规定 值,封装应能与设备组装工艺条件相容。 4 .稳定性:在温度、湿度、频率、老化等变化的情况下,参数变化在允许 的范围内。 5 .寿命:工作寿命或贮存寿命应不短于使用它们的设备的预计寿命。 6 .环境适应性:应能良好地工作于各种使用环境, 别是如潮热、盐雾、 沙尘、酸雨、霉菌、辐射、高海拔等 殊环境。 7 .失效模式:对元器件的典型失效模式和失效机理应有充分了解。 8 .可维修性:应考虑安装、拆卸、更换是否方便以及所需要的工具和熟练 等级。 9 .可用性:供货商多于1 个,供货周期满足设备制造计划进度,能保证元 器件失效时的及时更换要求等。 10 .成本:在能同时满足所要求的性能、寿命和环境制约条件下,考虑采用 性价比高的元器件。 4. 3 . 失效模式及其分布 失效模式:元器件的失效形式,即是怎么样失效的? 失效机理:元器件的失效原因,即是为什么失效的? 元器件的使用者即使不能了解失效机理,也应该了解失效模式。 失效模式分布:如果元器件有多种失效模式,则各种失效模式发生的概率 是进行失效分析的前提。 4. 4 . 高可靠元器件的特征 制造商认证:生产厂商通过了权威部门的合格认证 生产线认证:产品只能在认证合格的专用生产线 页 可靠性检验:产品进行并通过了一系列的性能和可靠性试验,100%筛选 和质量一致性检验。 工艺控制水平:产品的生产过程得到了严格的控制,成品率高。 标 化程度:产品的生产和检验符合国际、国家或行业通用规范及详细规 范要求。 4. 5 . 品种型号的优先选用规则 1 .优先选用标 的、通用的、系列化的元器件,慎重选用新品种和非标 器件,最大限度地压缩元器件的品种规格和承制单位的数量。 2 .优先选用列入元器件优选 目录。 3 .优先选用器件制造技术成熟的产品,选用能长期、连续、稳定、大批量 供货且成品率高的定点供货单位。 4 .优先选用能提供完善的工艺控制数据、可靠性应用指南或使用规范的厂 家产品。 5 .在质量等级相当的前提下,优先选用集成度高的器件,少选用分立器 件 。 4. 6 . 供货商应提供的可靠性信息 详细规范及符合的标 :国军标、国标、行标、企标 认证情况:QPL 、QML、PPL、IECQ 等 质量等级与可靠性水平:失效率、寿命(MTTF) 、抗静电强度、抗辐照水平 等 可靠性试验数据:加速与现场,环境与寿命,近期及以往,所采用的试验 方法与数据处理方法 成品率数据:中测(裸片)、总测(封装后)等 质量一致性数据:批次间,晶圆间,芯片间,平均值、方差、分布 工艺稳定性数据:统计工艺控制(SPC)数据,批量生产情况 采用的工艺和材料:最好能提供关键工艺和材料的主要参数指标 使用手册与操作规范:典型应用电路、可靠性防护方法等 5 . 工艺考虑 第 1 1页共 17 页 5. 1. 1 . 以集成电路为例: 最小线 um 衬底材料:SiSOISiGeGaAsSiC 互连材料:CuAI 国(外先进工艺)AlCu 国(内现有工艺) 钝化材料:SiNPSG聚烯亚胺无机〉有机 键合材料:AuCuAl S(i) 电路形式:数/模分离〉数/模合一 RF/BB分离〉RF/BB合一 5. 2. CMOS芯片成品率与可靠性的关系 成品率 有(时称为质量):出厂或老化筛选中在批量器件发现的合格器件 数 。 可靠性:经历一年以上的上机时间后的失效器件数。 一般而言,器件的质量与成品率越高,可靠性越好;但质量与成品率相同 的器件,可靠性并非完全相同。 5. 3. SP C数据:合格率的表征 O ir s ^ B s • ~ - - —— ■; - - 」 “•: ?* - v ,工 —、&Annatf:,£iNj、8 :PH乂低e ,・ 「t门小 , “,,,;) “ 町 ,燃 ;8 、V 0Q 。 JO13-M-3O 2011-09-05 2 8 1 5 - 9 9 M 13-0*-05 E 、99*(M 2 - Q m a ; c*KiMfa [ \ muMia g4Ms MMIMB i N MA HTTSI «*.«« r ?*: - M r :•»•:; » ! (g — - - । , X H X M 4 1 1S4S.45 2 Q ] O e-]3 O 2 :3»l 3011 0 W 5 M 1107M7 » 13 4 « - 13 0 4 :i 0 7 X n O 2 7» 7 5. 4. SOI 工艺 S O I全称为Silicon-On-Insulator, 即绝缘衬底上 硅,该技术是在顶层硅 和背衬底之间引入了一层埋氧化层。材料通过在绝缘体上形成半导体薄膜, S 0 I材料具有了体硅所无法比拟 优点:可以实现集成电路中元器件 介质隔 离,彻底消除了体硅C M O S 电路中 寄生闩锁效应;采用这种材料制成 集成 第 12 页共 1 7 页 电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特 别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说S O I将有可能成为深亚微米 低 压、低功耗集成电路 主流技术。止匕外,S O I材料还被用来制造M E M S 光开 关,如利用体微机械加工技术。 S O I 是硅晶体管结构在绝缘体之上 意思,原理就是在S 山con (硅)晶体管 之间,加入绝缘体物质,可使两者之间 寄生电容比原来 少上一倍。优点是 可以较易提升时脉,并减少电流漏电成为省电 IC 。原本应通过交换器 电 子,有些会钻入硅中造成浪费。S O I 可防止电子流失。摩托罗拉宣称中央处理 器可因此提升时脉2 0 % , 并减低耗电30% 。除此之外,还可以减少一些有害 电气效应。还有一点,可以说是很多超频玩家所感兴趣 ,那就是它 工作 温度可高达3 0 0 C , 减少过热 问题。 通常根据在绝缘体上 硅膜厚度将S O I 分成薄膜全耗尽FD (Fully Depleted) 结构和厚膜部分耗尽PD (Partially Depleted)结构。由于S O I 介质隔 离,制作在厚膜S O I 结构上 器件正、背界面 耗尽层之间不互相影响,在它 们中间存在一中性体区,这一中性体区 存在使得硅体处于电学浮空状态,产 生了两个明显 寄生效应,一个是 翘“曲效应即K i n k 效应,另一个是器件源 漏之间形成 基极开路N P N 寄生晶体管效应。如果将这一中性区经过一体接 触接地,则厚膜器件工作特性便和体硅器件特性几乎完全相同。而 于薄膜 S O I 结构的器件由于硅膜的全部耗尽完全消除 翘“曲效应,且这类器件具有低 电场、高跨导、 良好的短沟道特性和接近理想的亚阈值斜率等优点。因此薄膜 全耗尽F D S O I应该是非常有前景的S O I 结构。 目前比较普遍的使用且比较有发展前途的S O I 的材料主要有注氧隔离的 SIM OX fSeparation by Implanted Oxygen)材料、硅片键合和反面腐蚀的 BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和将键合与注入相结合的Smart Cut S O I材 料 。在这三种材料中,S IM O X 适合于制作薄膜全耗尽超大规模集成电路, B E S O I材料适合于制作部分耗尽集成电路,而 Smart C u t 材料则是非常有发展 前景的S O I材料,它有很大的可能性成为今后S O I材料的主流。 S O I 在器件性能上具有以下优点: 1 ) 减小了寄生电容,提高了工作速度。与体硅材料相比,S O I 器件的运 行速度提高了 20-35% ; 第 1 3 页共 1 7 页 2)具有更低的功耗。由于减少了寄生电容,降低了漏电,S O I 器件功耗 可减小35-70% ; 3)消除了闩锁效应; 4)抑制了衬底的脉冲电流干扰,减少了软错误的发生; 5)与现有硅工艺兼容,可减 少 13-20% 的工序。 6 . 统计工艺控制 工艺准确度和工艺稳定性是决定产品成品率和可靠性的主要的因素,可用统 计工艺控制 S(PC, StaTIsTIcal Process Control)数据来定量表征。 合格率的表征参数 成品率 y(ield):批产品中合格品所 占百分比。 ppmfparts per million):每一百万个产品中不合格品的数量,适合于批量 大、质量稳定、成品率高的产品表征。 工艺偏移和离散的表征: 不合格品的产生大多数来源于元器件制造工艺不可避免地存在着的偏移和离 散,工艺参数的分布通常满足正态分布。 7 . 封装考虑 7 . 1 . 寄生参数典型值 有引脚元件:寄生 电感InH/mm/ 引脚 越(短越好),寄生电容4pF/ 引脚 无引脚元件:寄生 电感0.5nH/端 口,寄生 电容0.3pF/端口 不同封装形式寄生效应的比较 寄(生参数由小到大) 无引脚贴装〉表面贴装〉放射状引脚〉轴面平行引脚 CSPBGAQFPSMDDIP 第 1 4 页共 1 7 页 A Package Size and Type Lead-Length Inductance 14 pin DIP 2 .0 - 10.2 n i 20 p in DIP 3 .4 - 13 .7 nH 40 pin DIP 4 .4 -2 1 .7 nH 20 pin PLCC 3 .5 - 6 .3 nH 28 pin PLCC 1 7 - 7 .8 nH 寄生 44 pin PLCC 4 .3 -6 . 1 nH 电感 68 pin PLCC 5 3 - 8 .9 nH 14 pin SOIC 2 .6 - 3 .6 nH 20 pin SOIC 4 .9 - 8 .5 nH 40 pin TA B 1 .2 -2 .5 n i 624 pin C BGA 0 .5 -4 .7 nH W ire bonded to hybrid substrate 1 nH 电容器 的寄生 电感还与 电容器 的封装形式有关 。管脚宽长 比越大 ,寄生电 感越小 。 Regul
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